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華為服務(wù)器閃存門(mén)事件成了科技圈關(guān)注的焦點(diǎn)，昨天華為終端總裁余承東在微博發(fā)文為華為進(jìn)行了辯護(hù)，不過(guò)華為的辯護(hù)并不能說(shuō)服大眾。那么華為的的閃存門(mén)事件對(duì)我們有什么啟示呢?與服務(wù)器有什么關(guān)系呢?

華為閃存門(mén)指的是有用戶在華為P10手機(jī)上用Androbench測(cè)試手機(jī)內(nèi)存與閃存速度時(shí)，發(fā)現(xiàn)不同華為P10之間的速度存在非常大的差異。于是有用戶開(kāi)始懷疑華為P10采用了不同類型的內(nèi)存和閃存，經(jīng)過(guò)用戶多次測(cè)試，華為P10內(nèi)存混用了LPDDR 3和LPDDR 4，閃存混用了eMMC 5.1和USF 2.0、USF 2.1。那么LPDDR 3和和LPDDR 4有什么區(qū)別呢?而eMMC 5.1和USF 2.0、USF 2.1又有什么區(qū)別呢?

LPDDR內(nèi)存是Low Power Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě)，其實(shí)就是DDR內(nèi)存的低功耗版本，專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)，LPDDR3就是SDRAM的第四代版本。SDRAM至今已經(jīng)發(fā)展了五代，從第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM，每更新一代傳輸速率就更高，耗電量更低。第四代DDR3 SDRAM 頻率在1600Mhz，第五代DDR4頻率基本在2133Mhz。LPDDR4在速度和功耗上都比LPDDR3更有優(yōu)勢(shì)。

eMMC是專為移動(dòng)裝置開(kāi)發(fā)的閃存卡，它自帶一個(gè)控制器，提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存。eMMC采用并行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，主控和存儲(chǔ)單元之間擁有8個(gè)數(shù)據(jù)通道，它們可以同步工作，工作模式為半雙工，每個(gè)通道允許讀寫(xiě)傳輸，但是同一時(shí)間只能讀/寫(xiě)。UFS全稱是Universal Flash Storage，中文翻譯為“通用閃存存儲(chǔ)”，采用串行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，只有兩個(gè)數(shù)據(jù)通道但速率超越eMMC，工作模式為全雙工模式，同一條通道允許讀寫(xiě)傳輸，而且讀寫(xiě)能夠同時(shí)進(jìn)行，傳輸效率效率提高。不論是數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，還是工作模式，UFS都全面領(lǐng)先于eMMC。實(shí)測(cè)eMMC 5.1的讀取速率為263MB/s，寫(xiě)入速度為45.8MB/s;UFS 2.0讀取速度為441.5MB/s，寫(xiě)入速度為150MB/s;USF 2.1讀取速度734.56MB/s，讀取速度為181.65MB/s。可見(jiàn)，eMMC 5.1和USF2.1之間的差距是非常巨大的。這也是為何華為閃存門(mén)事件會(huì)炒作得沸沸揚(yáng)揚(yáng)的原因。

華為服務(wù)器的內(nèi)存和硬盤(pán)類型對(duì)服務(wù)器的性能影響也是非常巨大。相比手機(jī)內(nèi)存和閃存，服務(wù)器的內(nèi)存與硬盤(pán)規(guī)格類型非常多，相互之間性能差異也極為明顯。服務(wù)器的內(nèi)存類型主要有RDIMM、UDIMM、LRDIMM三種。

1.RDIMM：也稱為Registered DIMM。為了保證并行傳輸?shù)挠行?，RDIMM在內(nèi)存條上加了一個(gè)寄存器進(jìn)行轉(zhuǎn)發(fā)。它位于CPU和內(nèi)存顆粒之間，這樣就減少了并行傳輸?shù)木嚯x。同時(shí)由于寄存器效率很高，因此RDIMM的密度和頻率就容易提高。RDIMM目前是較為主流的內(nèi)存條，單條容量在2～32GB之間，頻率也有1.33GHz和1.6GHz兩種選擇。絕大多數(shù)2路通用配置的服務(wù)器出廠時(shí)通常都會(huì)配置這種類型的內(nèi)存.

2.UDIMM：也稱為Unbuffered DIMM。當(dāng)數(shù)據(jù)從CPU傳到每個(gè)內(nèi)存顆粒時(shí)，UDIMM要求保證CPU到每個(gè)內(nèi)存顆粒之間的數(shù)據(jù)傳輸距離相等，這樣并行傳輸才會(huì)有效。這需要極高的制造工藝，極難做到高密度、高頻率。因此UDIMM容量和頻率都較低。不過(guò)，UDIMM由于在CPU和內(nèi)存之間沒(méi)有任何緩存，因此同頻率下時(shí)延較小。目前常見(jiàn)的是單條容量2GB/4GB，最高主頻也只能到達(dá)1.33GHz。

3.LRDIMM：也稱為L(zhǎng)oad Reduced DIMM。RDIMM雖然提高了傳輸有效性，但由于寄存器大小有限，當(dāng)單條內(nèi)存中內(nèi)存顆粒以最高的密度4 Rank進(jìn)行部署時(shí)，并行傳輸?shù)挠行院皖l率就會(huì)大大下降。例如在使用32G RDIMM時(shí)，在服務(wù)器的每個(gè)內(nèi)存通道上最多只能部署2條內(nèi)存條，而且只能運(yùn)行在800MHz。 LRDIMM內(nèi)存通過(guò)將當(dāng)前RDIMM內(nèi)存上的Register芯片改為一種iMB(isolation Memory Buffer)內(nèi)存隔離緩沖芯片來(lái)降低內(nèi)存總線的負(fù)載，并相應(yīng)地進(jìn)一步提升內(nèi)存支持容量。相比于通常的RDIMM，Dual-Rank LRDIMM內(nèi)存的功耗只有其50%，Quad-Rank LRDIMM也能低到其75%。目前，典型的Nehalem-EP處理器可以支持3個(gè)內(nèi)存通道，每個(gè)內(nèi)存通道最多支持3個(gè)RDIMM，而改用LRDIMM內(nèi)存之后，同樣的系統(tǒng)可以每通道支持到9個(gè)DIMM，內(nèi)存容量提升到原來(lái)的三倍。

目前還有一種斷電后信息也不會(huì)丟失的內(nèi)存，叫做NVDIMM，也就是非易失性DIMM內(nèi)存，這種內(nèi)存同時(shí)擁有內(nèi)存的高速訪問(wèn)速度，同時(shí)又擁有硬盤(pán)數(shù)據(jù)長(zhǎng)久保存的特性。如果您對(duì)服務(wù)器的數(shù)據(jù)安全性要求非常高，可以考慮采用這種內(nèi)存。

華為服務(wù)器的硬盤(pán)種類和臺(tái)式機(jī)沒(méi)有太大區(qū)別，也是機(jī)械硬盤(pán)與SSD兩種，不過(guò)與臺(tái)式機(jī)不一樣的是服務(wù)器硬盤(pán)可以搭配磁盤(pán)陣列卡(RAID)，而且一些磁盤(pán)陣列卡還帶有緩存，在安全性上遠(yuǎn)超普通家用臺(tái)式機(jī)硬盤(pán)。RAID可以把多塊獨(dú)立的硬盤(pán)按不同的方式組合起來(lái)形成一個(gè)邏輯硬盤(pán)，對(duì)這個(gè)邏輯硬盤(pán)的操作和單個(gè)硬盤(pán)沒(méi)有區(qū)別，同樣可以進(jìn)行分袂、格式化等操作，但是它的讀取與寫(xiě)入速度比單個(gè)硬盤(pán)要高很多，而且還能提供數(shù)據(jù)自動(dòng)備份功能。RAID技術(shù)經(jīng)過(guò)不斷發(fā)展，目前已經(jīng)發(fā)展出了RAID 0到RAID 7八種基本的級(jí)別。在基本級(jí)別基礎(chǔ)上還能進(jìn)行各種組合，如RAID 10(RAID 0與RAID 1的組合)，RAID 50(RAID 0與RAID 5的組合)等。

寧外華為服務(wù)器的SSD閃存顆粒，有三種類型，TLC、MLC、SLC。TCL是Triple Level Cell，直接翻譯過(guò)來(lái)叫做3階單元，相應(yīng)的MLC是Multi-Level Cell的縮寫(xiě)，SLC是single-Leve Cell的縮寫(xiě)。SLC是在一個(gè)單元存儲(chǔ)空間里存放1 bit數(shù)據(jù)，MLC是在一個(gè)單元存儲(chǔ)空間里存放2 bit數(shù)據(jù)，SLC是在在一個(gè)單元存儲(chǔ)空間里存放1 bit數(shù)據(jù)。在相同成本下，TLC的存儲(chǔ)容量是SLC的4倍，但擦寫(xiě)壽面只有SLC的1/100到1/200?？梢?jiàn)不同閃存顆粒之間的性能存在巨大差異。通常服務(wù)器上使用的SSD顆粒都是SLC?，F(xiàn)在二手服務(wù)器和二手服務(wù)器配件市場(chǎng)非?；馃幔慌懦猩碳視?huì)用普通臺(tái)式機(jī)TLC閃存顆粒SSD冒充服務(wù)器級(jí)別的SSD硬盤(pán)。所以各位采購(gòu)二手服務(wù)器的買(mǎi)家要仔細(xì)檢查下自己采購(gòu)的二手設(shè)備，避免上當(dāng)。

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