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第六屆中國(guó)(濟(jì)南)新動(dòng)能創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽先進(jìn)電子新材料與應(yīng)用領(lǐng)域?qū)I(yè)賽決賽日程表出爐

 2023-11-08 13:57  來(lái)源: 互聯(lián)網(wǎng)   我來(lái)投稿 撤稿糾錯(cuò)

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為了全面推動(dòng)濟(jì)南市科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí),加快建設(shè)“強(qiáng)新優(yōu)富美高”新時(shí)代社會(huì)主義現(xiàn)代化強(qiáng)省會(huì)提供堅(jiān)實(shí)的人才支撐,由中共濟(jì)南市委、濟(jì)南市人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“第六屆中國(guó)(濟(jì)南)新動(dòng)能創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽先進(jìn)電子新材料與應(yīng)用領(lǐng)域?qū)I(yè)賽”自啟動(dòng)以來(lái),就受到產(chǎn)業(yè)內(nèi)創(chuàng)業(yè)人才和項(xiàng)目的高度關(guān)注,經(jīng)過(guò)組委會(huì)專家組的層層篩選,目前大賽決賽的19個(gè)入圍名單已經(jīng)出爐,并將于11月10日在濟(jì)南東悅國(guó)際酒店進(jìn)行最終的比拼,評(píng)選出本次活動(dòng)的一、二、三等獎(jiǎng)。

同時(shí),為了積極為先進(jìn)電子新材料與應(yīng)用領(lǐng)域創(chuàng)業(yè)者搭建一個(gè)可以充分展示交流、投融資對(duì)接、創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新政策推介的平臺(tái),在本次大賽開(kāi)幕式上,組委會(huì)還將邀請(qǐng)多名產(chǎn)業(yè)專家以及龍頭企業(yè)相關(guān)負(fù)責(zé)人做產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主旨報(bào)告,為參加活動(dòng)的創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目和人才進(jìn)行產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)的干貨分享。

大賽開(kāi)幕式議程:

本次大賽以“創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)·筑夢(mèng)泉城”為主題,活動(dòng)共計(jì)吸引近70個(gè)全國(guó)各地優(yōu)秀的先進(jìn)電子材料類的創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目報(bào)名參賽。決賽將邀請(qǐng)投資機(jī)構(gòu)、龍頭企業(yè)、技術(shù)專業(yè)領(lǐng)域、知名高校等專業(yè)、重磅的嘉賓組成的評(píng)審團(tuán),圍繞大賽的評(píng)審規(guī)則為入圍項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)打分,決賽現(xiàn)場(chǎng)采用“10+5”(10分鐘路演陳述+5分鐘評(píng)委提問(wèn))模式進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)路演答辯,決賽將在11月10日下午和11月11日上午分兩場(chǎng)舉行。

決賽入圍項(xiàng)目介紹

1.腦控機(jī)械手在腦中風(fēng)中的應(yīng)用:專注于腦機(jī)接口領(lǐng)域,以腦電感知控制技術(shù)為核心技術(shù)的公司,基于這項(xiàng)技術(shù),我們落地的一些智能硬件和穿戴硬件,通過(guò)大量的推廣智能硬件,我們不斷的采集用戶的數(shù)據(jù),后臺(tái)不斷的運(yùn)營(yíng)個(gè)人的生活空間。我們打造一個(gè)開(kāi)放的腦電應(yīng)用平臺(tái),運(yùn)用這個(gè)腦電平臺(tái)來(lái)輔能其他的行業(yè)。腦控機(jī)械手:以腦控機(jī)械手解決腦中風(fēng)患者的生活各種任務(wù),方法是用新穎的傳感和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù),通過(guò)無(wú)創(chuàng)神經(jīng)成像和一種新的連續(xù)追蹤范式,克服了嘈雜的腦電圖信號(hào),顯著改善基于腦電圖的神經(jīng)解碼,從而實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)連續(xù)的機(jī)器人設(shè)備控制。

2.電子元器件的激光焊接精準(zhǔn)溫控系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)化:隨著電子器件微型化發(fā)展,如何保障焊接的質(zhì)量是微電子產(chǎn)業(yè)的重要技術(shù)支撐。項(xiàng)目通過(guò)建立焊接工藝參數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)并設(shè)計(jì)焊接質(zhì)量控制算法,實(shí)現(xiàn)激光焊接設(shè)備的智能控制,與同行業(yè)產(chǎn)品相比處于遙遙領(lǐng)先的地位。項(xiàng)目已開(kāi)發(fā)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的智能溫控激光軟釬焊設(shè)備,打造光電子器件加工與組裝生產(chǎn)線,在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)激光非接觸精密電子加工的恒溫控制,滿足物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和無(wú)人駕駛等微電子集成電路的迫切需求,計(jì)劃進(jìn)一步占領(lǐng)市場(chǎng)。

3.半導(dǎo)體拋光材料:碳化硅,氮化鎵等半導(dǎo)體材料晶圓的制備加工工序中,對(duì)晶圓材料的平坦化,高精度,表面粗糙度進(jìn)行拋光加工的拋光材料。

4.深紫外LED芯片及光導(dǎo)纖維光觸媒產(chǎn)業(yè)化:深紫外LED代替汞燈是未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),在醫(yī)療、消毒、凈化等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。我司擁有兩大核心技術(shù):深紫外LED 芯片技術(shù)和光導(dǎo)纖維光觸媒技術(shù);深紫外LED芯片實(shí)驗(yàn)室光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到8%,產(chǎn)業(yè)化達(dá)到了5%,居于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先行列,與日韓芯片相當(dāng)。擁有公司核心專利的光導(dǎo)纖維光觸媒技術(shù),在生長(zhǎng)工藝有重大創(chuàng)新,與紫外LED結(jié)合,在消殺細(xì)菌、凈化有機(jī)物等方面展現(xiàn)高效率和高環(huán)保型,對(duì)未來(lái)提供人們生活品質(zhì)具有重要意義。公司目前已導(dǎo)入宇通、江鈴、奇瑞等車企頭部企業(yè)和牧原等畜牧業(yè)頭部企業(yè),且在合成革產(chǎn)業(yè)中取得重大技術(shù)突破,解決了困擾合成革企業(yè)的痛點(diǎn)、難點(diǎn)問(wèn)題,公司正在打造面向全球的消毒凈化的解決方案和制造基地。

5.新一代車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化:本項(xiàng)目是由來(lái)自ADI、聯(lián)合電子、DENSO、臺(tái)積電、世界先進(jìn)、強(qiáng)茂等世界級(jí)的功率半導(dǎo)體專家聯(lián)合創(chuàng)辦,目標(biāo)是打造世界級(jí)的車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體IDM供應(yīng)商。業(yè)務(wù)覆蓋Si/SiC/GaN基的模塊、芯片、新材料和晶圓設(shè)計(jì)和制造。目前已經(jīng)完成世界級(jí)的IGBT和SiC模塊和器件,SiC-SBD器件和RC-IGBT芯片設(shè)計(jì)。其中兩款高功率IGBT產(chǎn)品性能全面超越國(guó)際一流水平,已經(jīng)進(jìn)入小批量驗(yàn)證階段,并由多款適配國(guó)內(nèi)外車型的SiC和IGBT產(chǎn)品定制化研發(fā)中。項(xiàng)目預(yù)期2026年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值50億元。

6.鋁固態(tài)電池技術(shù): 技術(shù)方案首先是電池工作時(shí)降低正負(fù)極片的電流值,解決電池的發(fā)熱問(wèn)題,傳統(tǒng)新能源汽車電池內(nèi)部電池電芯直接串聯(lián),電池內(nèi)部正負(fù)極芯很容易被高電壓金屬離子熱流所破壞、電池性能及壽命下降均來(lái)源于高溫?zé)犭x子流!其次改變電池的極性,通過(guò)電池電芯正負(fù)極穿插另外一個(gè)電芯的正極作為電解質(zhì)控制晶枝的成晶方向,改變傳統(tǒng)電池正負(fù)極之間直接放一層隔膜的技術(shù)方案,充電電壓、電流較低,很難實(shí)現(xiàn)電池快充。再次,固態(tài)電解質(zhì)與正負(fù)極之間界面采用導(dǎo)電活性劑組分解決阻抗過(guò)高難題,提升金屬離子固態(tài)電池固態(tài)電解質(zhì)導(dǎo)電率。最后,成本問(wèn)題。像鈉、鋁、鋅等金屬相比鋰金屬,成本就非常低,做出來(lái)的電池就非常親民。

7.超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料及其功率器件:計(jì)劃進(jìn)入高溫、高功率電子領(lǐng)域,提供創(chuàng)新的解決方案。我們的產(chǎn)品和服務(wù)將基于氧化鎵材料的優(yōu)越特性,并應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電力電子和智能電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。我們致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的商業(yè)化,并在市場(chǎng)中取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

8.氮化鎵單晶襯底及設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目:實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體高性能器件產(chǎn)業(yè)化和規(guī)?;瘧?yīng)用的關(guān)鍵是要獲得價(jià)格合理的低缺陷密度GaN晶體基片。本項(xiàng)目南京大學(xué)技術(shù)團(tuán)隊(duì)所擁有的高技術(shù)和低成本優(yōu)勢(shì)在國(guó)內(nèi)外是獨(dú)一無(wú)二的,技術(shù)領(lǐng)先、工藝成熟,已經(jīng)具備大規(guī)模量產(chǎn)的條件。本項(xiàng)目旨在開(kāi)發(fā)大尺寸GaN襯底的批量生產(chǎn)技術(shù),在3年內(nèi)實(shí)現(xiàn)低成本高質(zhì)量GaN襯底的規(guī)?;a(chǎn),達(dá)到年產(chǎn)20萬(wàn)片以上TIE-GaN的規(guī)模。本項(xiàng)目長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)是建成世界最大規(guī)模的氮化鎵襯底生產(chǎn)基地,提供GaN襯底以及集成GaN基光電子和微電子器件的晶片等,用于滿足中國(guó)乃至全世界在全固態(tài)照明、短波長(zhǎng)激光器等信息技術(shù)的發(fā)展和功率電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

9.基于MPCVD技術(shù)的金剛石晶體材料制備:本項(xiàng)目自主研制“微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備(MPCVD)”,用其制備高品質(zhì)人造金剛石晶體材料,包括大尺寸金剛石單晶和金剛石多晶薄膜。主要作為半導(dǎo)體材料、光學(xué)窗口材料、熱沉材料、鉆石毛坯等材料,應(yīng)用于半導(dǎo)體、量子計(jì)算、軍工航天、大科學(xué)裝置、精密加工、鉆石首飾等領(lǐng)域。該項(xiàng)目致力于突破國(guó)外在大功率MPCVD設(shè)備方面的技術(shù)封鎖,解決功能性金剛石領(lǐng)域的“卡脖子”問(wèn)題。本項(xiàng)目將不斷升級(jí)完善大功率MPCVD設(shè)備,在功能性金剛石材料的制備和應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行不斷地研發(fā)和探索,保持技術(shù)優(yōu)勢(shì),把握市場(chǎng),提前布局金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料,將本項(xiàng)目打造成為國(guó)際知名的功能性金剛石材料生產(chǎn)商。

10.芯片可靠性應(yīng)用驗(yàn)證綜合評(píng)測(cè)項(xiàng)目:是一家集成電路檢測(cè)設(shè)備研發(fā)和生產(chǎn)、檢測(cè)解決方案咨詢、檢測(cè)服務(wù)和芯片評(píng)測(cè)為一體的綜合技術(shù)服務(wù)提供商,面向宇航、軍工、汽車級(jí)、工業(yè)級(jí)等行業(yè)客戶提供服務(wù),具備異構(gòu)多參數(shù)集成電路檢測(cè)設(shè)備敏捷開(kāi)發(fā)、軟硬一體化全流程驗(yàn)證仿真模擬平臺(tái)、多上位機(jī)陣列輔助開(kāi)發(fā)驗(yàn)證等多項(xiàng)芯片檢測(cè)驗(yàn)證領(lǐng)域核心開(kāi)發(fā)技術(shù)。公司成立以來(lái)已服務(wù)航空、航天、船舶、汽車等高可靠性要求的領(lǐng)域客戶50余家,檢測(cè)集成電路型號(hào)2000余種,覆蓋95%以上元器件品類,構(gòu)建標(biāo)準(zhǔn)化、通用化,自動(dòng)化、信息化,一站化應(yīng)用驗(yàn)證能力,為我國(guó)芯片國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程貢獻(xiàn)力量。

11.SERDES IP與CXL芯片項(xiàng)目:項(xiàng)目創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)成員包括三星AMD實(shí)驗(yàn)室頂尖芯片架構(gòu)專家、IEEE預(yù)備院士、前Intel首席科學(xué)家等,平均從業(yè)時(shí)間20年以上。團(tuán)隊(duì)目前已有自主IP20余項(xiàng)、在申報(bào)發(fā)明專利2項(xiàng)、預(yù)備申報(bào)發(fā)明專利10余項(xiàng);團(tuán)隊(duì)具備先進(jìn)制程經(jīng)驗(yàn)(3nm GAA~110nm),先進(jìn)SERDES IP設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)、數(shù)十顆芯片從設(shè)計(jì)至流片經(jīng)驗(yàn)。已攻克國(guó)內(nèi)首個(gè)驗(yàn)證可用的RAID方案、國(guó)內(nèi)首個(gè)CXL IP合作案例、國(guó)內(nèi)首顆自主紅外ISP芯片案例、國(guó)內(nèi)首顆自主USB3.2HUB芯片案例等,是國(guó)內(nèi)唯三可進(jìn)行SERDES IP定制化的企業(yè)。截止目前,公司營(yíng)業(yè)收入數(shù)百萬(wàn)元,已達(dá)成合同超2000萬(wàn)元,正在進(jìn)行天使輪融資及項(xiàng)目落地工作。

12.Micro-TEC半導(dǎo)體制冷片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目:微型半導(dǎo)體制冷片Micro- TEC以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于航天、軍工、紅外、工業(yè)、通信、電力、消費(fèi)等諸多領(lǐng)域。 微型半導(dǎo)體制冷片Micro TEC可以實(shí)現(xiàn)0.01℃以內(nèi)的主動(dòng)溫度控制,是目前光通訊器件/模塊中實(shí)現(xiàn)精確溫度控制的唯一核心關(guān)鍵核心部件。

微型半導(dǎo)體制冷片Micro -TEC的廠家,主要為國(guó)外廠家,如杭州大和、日本小松、美國(guó)Phononic公司、俄羅斯RMT公司等等,占據(jù)中國(guó)75%以上的市場(chǎng)份額,且限制對(duì)中國(guó)企業(yè)銷售核心的熱電材料,國(guó)內(nèi)沒(méi)有可以與之競(jìng)爭(zhēng)的廠家。

13.基于PXGPU的超低功耗AOD-DDIC:"我們提出了全球獨(dú)創(chuàng)的解決方案來(lái)延長(zhǎng)手機(jī)低電量時(shí)的續(xù)航時(shí)間

·發(fā)明了全新計(jì)算架構(gòu)GPU(PXGPU),顛覆已沿用30多年的傳統(tǒng)GPU架構(gòu)(基于幀緩存、流水線架構(gòu)); 在空間維度/時(shí)間維度上實(shí)現(xiàn)了不同圖層圖元/不同區(qū)域圖元渲染的并行執(zhí)行,實(shí)現(xiàn)了全球首創(chuàng)的無(wú)幀緩存、非流水線GPU架構(gòu),大幅降低GPU渲染、顯示帶寬及功耗。

·基于PXGPU,實(shí)現(xiàn)了全球獨(dú)創(chuàng)的解決方案AOD-DDIC芯片及全新的低功耗AOD交互模式,延長(zhǎng)手機(jī)低電量時(shí)的續(xù)航時(shí)間。

·延長(zhǎng)電話信息時(shí)間2倍, 延長(zhǎng)刷碼支付時(shí)間5倍,延長(zhǎng)導(dǎo)航時(shí)間5倍。

適用于所有手機(jī)平臺(tái),市場(chǎng)規(guī)模巨大。"

14.HS-MCM碳化硅超高溫技術(shù)平臺(tái):公司由五位清華大學(xué)電子系98級(jí)同班同學(xué)創(chuàng)立,前期已經(jīng)過(guò)數(shù)輪上億元的融資,擁有自身的6英寸碳化硅芯片產(chǎn)線和電源厚膜工藝產(chǎn)線。公司致力于第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片、模塊與系統(tǒng),團(tuán)隊(duì)成員在海外有16年以上的高溫電源經(jīng)驗(yàn)。項(xiàng)目從特殊行業(yè)(石油、軍工、航天)、特殊產(chǎn)品(基于碳化硅芯片的超高溫、小型化特種電源),特殊技術(shù)(HS-MCM異基底-混合集成芯片模組)切入,研發(fā)的230+℃超高溫特種開(kāi)關(guān)電源已廣泛應(yīng)用在國(guó)內(nèi)石油井下勘探,超高溫特種電源領(lǐng)域填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)空白,并將技術(shù)原理復(fù)用到軍工、航天、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能等行業(yè),為了實(shí)現(xiàn)這種極致碳化硅高溫系統(tǒng),芯片也是公司特殊設(shè)計(jì)并在自己的芯片產(chǎn)線上流片。

15.全國(guó)產(chǎn)化射頻通信芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化:受國(guó)外芯片卡脖子限制,我國(guó)急需高端芯片填補(bǔ)空白,國(guó)外技術(shù)封鎖以及光刻機(jī)的斷供使得高性能電子通訊芯片突破十分困難,因此對(duì)于高性能光電融合通訊芯芯片來(lái)取代甚至超越純電子芯片就顯得十分重要。我們團(tuán)隊(duì)全自主設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高性能光電融合通訊芯片,具有光電集成、高速通訊、多波段切換,并單個(gè)芯片集成,可實(shí)現(xiàn)高性能通訊。光電融合通訊芯片可產(chǎn)生相位噪聲極低的高頻微波信號(hào),在軍民領(lǐng)域均具有重要的應(yīng)用,市場(chǎng)規(guī)模巨大,可成為第四次工業(yè)革命的把關(guān)者。

16.自主可控的通用、智能、精密、 集成化工業(yè)底層控制系統(tǒng):公司在十幾年內(nèi)建立了硬件、軟件完全獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)體系。核心技術(shù)全面覆蓋從檢測(cè)、工具應(yīng)用到生產(chǎn)的所有環(huán)節(jié),可應(yīng)用在智能檢測(cè)、智能工業(yè)生產(chǎn)線、高精度機(jī)床、工業(yè)機(jī)器人、高精密儀器、精密測(cè)量運(yùn)動(dòng)平臺(tái)新能源汽車等工業(yè)領(lǐng)域。所有產(chǎn)品均已自我驗(yàn)證,國(guó)內(nèi)外均未有同類體系。精密智能化集成底層工業(yè)控制系統(tǒng)是完全自主體系下獨(dú)立研發(fā)完成的新的工業(yè)控制體系,并兼容現(xiàn)有PLC及PC控制體系。其實(shí)質(zhì)為非PLC控制體系,也非基于PC的控制體系是獨(dú)立的新的工業(yè)底層控制體系(仍兼容PLC、PC體系)是基于新控制理論的國(guó)內(nèi)外最優(yōu)化控制。 可形成國(guó)際國(guó)內(nèi)新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、自主安全可控。

17.高可靠高性能自主可控電源管理芯片V9.0:專注宇航及軍工領(lǐng)域高可靠高性能自主可控電源管理芯片,致力于為航天、軍工、工業(yè)等領(lǐng)域客戶提供自主可控模擬芯片。核心團(tuán)隊(duì)由北京大學(xué)、中科院、電子科大等優(yōu)秀校友組成,深耕高可靠集成電路領(lǐng)域近二十年,在研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化及產(chǎn)業(yè)鏈有深厚經(jīng)驗(yàn),曾獲得國(guó)賽金獎(jiǎng)、多項(xiàng)人才計(jì)劃A類等榮譽(yù),多款產(chǎn)品在我軍裝備上得到大批量產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,目前20款可批量化供貨,10款在研,2022年通過(guò)7至9款宇航級(jí)產(chǎn)品滿足85%以上衛(wèi)星及飛行器電源管理需求,并成為航天五院、電科集團(tuán)、國(guó)網(wǎng)智芯等一級(jí)或合格供方。2022年團(tuán)隊(duì)同步依托現(xiàn)有技術(shù)、產(chǎn)品及企業(yè)優(yōu)勢(shì),拓展工業(yè)控制、汽車電子等物聯(lián)網(wǎng)、新基建需求萬(wàn)億級(jí)市場(chǎng)

18.全球領(lǐng)先危險(xiǎn)探測(cè)技術(shù)—解決方案提供商:我們是一家以納米傳感器技術(shù)為核心的產(chǎn)品技術(shù)服務(wù)提供商,我們的團(tuán)隊(duì)研發(fā)納米傳感器領(lǐng)域20年,發(fā)明了一種小巧并靈敏度極高的傳感器裝置,并全球領(lǐng)先,目前我們已經(jīng)完成了一代二代產(chǎn)品的訂單交付,三代產(chǎn)品形態(tài)和功能和以往不同,我們把我們的傳感器技術(shù)與世界領(lǐng)先的機(jī)器人技術(shù)相結(jié)合,制造出了擁有危險(xiǎn)探測(cè)能力的智能裝備,探測(cè)領(lǐng)域主要是爆炸物和毒品,受到海外多國(guó)政府和客戶的喜愛(ài),目前簽署了將近2個(gè)多億的海外預(yù)訂單,2023年我們準(zhǔn)備進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng),希望能在中國(guó)完成我們現(xiàn)有訂單的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),以及開(kāi)展國(guó)際化的產(chǎn)學(xué)研合作。

19.氮化物外延片/芯片供應(yīng)商:作為北京大學(xué)科技成果轉(zhuǎn)化、解決我國(guó)第三代半導(dǎo)體核心材料及器件技術(shù)問(wèn)題的重點(diǎn)項(xiàng)目,致力于為國(guó)家和北京市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做貢獻(xiàn)的示范企業(yè)。一期投資1.35億元,開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)氮化鎵基功率電子器件用大尺寸外延片(應(yīng)用于移動(dòng)通訊基站、大數(shù)據(jù)中心電源、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域)和高性能AlGaN基UVC-LED外延片和芯片產(chǎn)品(應(yīng)用于消毒殺菌、水和空氣凈化、印刷、農(nóng)業(yè)及醫(yī)療等領(lǐng)域)。中博芯多個(gè)產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)的水平,部分產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平;產(chǎn)品已銷售至海外。預(yù)期滿產(chǎn)后主營(yíng)業(yè)務(wù)收入2億元/年,利潤(rùn)5000萬(wàn)元/年。

此外,本屆大賽過(guò)程中特別強(qiáng)化交流互鑒,大賽瞄準(zhǔn)了我國(guó)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)——先進(jìn)電子新材料與應(yīng)用領(lǐng)域,根據(jù)濟(jì)南當(dāng)?shù)氐漠a(chǎn)業(yè)生態(tài)為參賽者搭建創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺(tái),并邀請(qǐng)各地的優(yōu)秀創(chuàng)業(yè)者參加,讓優(yōu)秀的項(xiàng)目和人才聚焦?jié)希⒊浞中麄鳚?jì)南在科技創(chuàng)新領(lǐng)域的人才政策和創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)環(huán)境,讓科技人才在交流中增進(jìn)對(duì)濟(jì)南產(chǎn)業(yè)生態(tài)的理解,促進(jìn)政、企、金、研、學(xué)等多方面的交流互鑒,相互啟迪,激發(fā)創(chuàng)新火花。

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